低功耗移动存储

• 系列： 手动翻盖测试&老化
• 特性： 适用UFS，eMMC, eMCP, DDR, Nand flash...等测试&老化，高精度定位（-/+0.01），可根据不同测试和老化项目选用导电材料和Socket材料。
• 封装： BGA,QFN,TSOP...
• 结构&探针： 间距：0.5mm/探针弹力：25g@0.6mm/行程：12g-31g@0.3mm-0.65mm
• 材料： Socket材料： AL6061、Torlon、PEEK、PEI/ 弹簧探针头材料：镀金双头/ 弹簧材料：钢琴丝/
• 电性能： 接触电阻： <80 mΩ/ 电流承载能力：2A 持续电流/ 频宽： > 2.5GHZ /@-1db/ 电感： 1.2nH
• 环境： 温度：常温:-40°C - 150°C，工作时间：5000H
• 可靠性： 探针寿命：5000k/Sockets寿命：>10W
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